Δωρεές 15 Σεπτεμβρίου 2024 – 1 Οκτωβρίου 2024
Σχετικά με συγκέντρωση χρημάτων
αναζήτηση βιβλίων
βιβλία
Δωρεές:
67.2% έχει επιτευχθεί
Σύνδεση
Σύνδεση
Σε εξουσιοδοτημένους χρήστες είναι διαθέσιμα:
προσωπικές συστάσεις
Telegram bot
ιστορία λήψεων
αποστολή στο Email ή Kindle
διαχείριση λιστών βιβλίων
αποθήκευση στα αγαπημένα
Προσωπικά
Αιτήματα βιβλίων
Εξερευνήστε
Z-Recommend
Λίστες βιβλίων
Τα πιο δημοφιλή
Κατηγορίες
Συμμετοχή
Υποστήριξη
Μεταφορτώσεις
Litera Library
Δωρεά χάρτινων βιβλίων
Προσθήκη χάρτινων βιβλίων
Search paper books
Το LITERA Point μου
Αναζήτηση λέξεων κλειδιών
Main
Αναζήτηση λέξεων κλειδιών
search
1
Silicon Epitaxy
Elsevier, Academic Press
Danilo Crippa
,
Daniel L. Rode and Maurizio Masi (Eds.)
surface
growth
temperature
silicon
deposition
wafer
layer
epitaxial
reactor
cvd
rate
reactors
reaction
wafers
thickness
substrate
thermal
epitaxy
layers
chemical
oxide
hydrogen
devices
species
sil_xgex
doping
plasma
effect
dopant
defects
device
chamber
susceptor
processes
resistivity
reactions
diffusion
kinetic
phys
hc1
materials
temperatures
techniques
films
shown
contamination
mbe
measurement
structures
doped
Έτος:
2001
Γλώσσα:
english
Αρχείο:
PDF, 22.78 MB
Οι ετικέτες (tags) σας:
0
/
0
english, 2001
2
Silicon Epitaxy
Elsevier, Academic Press
Danilo Crippa
,
Daniel L. Rode and Maurizio Masi (Eds.)
surface
growth
temperature
silicon
deposition
wafer
layer
epitaxial
reactor
cvd
rate
reactors
reaction
wafers
thickness
substrate
thermal
epitaxy
layers
chemical
oxide
hydrogen
devices
species
sil_xgex
doping
plasma
effect
dopant
defects
device
chamber
susceptor
processes
resistivity
reactions
diffusion
kinetic
phys
hc1
materials
temperatures
techniques
films
shown
contamination
mbe
measurement
structures
doped
Έτος:
2001
Γλώσσα:
english
Αρχείο:
PDF, 24.67 MB
Οι ετικέτες (tags) σας:
0
/
0
english, 2001
3
Halbleiterepitaxie
De Gruyter
Helmut Günther Schneider
schichten
abb
silicium
substrat
epitaxie
korund
verfahren
abscheidung
schicht
sowie
oberfläche
phys
soc
abhängigkeit
gaas
growth
electrochem
erfolgt
sih
bzw
crystal
homoepitaxie
eigenschaften
temperatur
epitaxieschichten
schichtdicke
spinell
cvd
autodoping
herstellung
hcl
temperaturen
beweglichkeiten
epitaxieschicht
bedeutung
sowohl
abschn
appi
reaktion
verbindungshalbleitern
versetzungen
bedingungen
liegen
verbindungen
konzentration
anwendung
bereich
tabelle
gasphase
läßt
Έτος:
1985
Γλώσσα:
german
Αρχείο:
PDF, 32.00 MB
Οι ετικέτες (tags) σας:
0
/
0
german, 1985
4
Epitaxial Silicon Technology
Elsevier Science
B. Baliga (Eds.)
silicon
epitaxial
surface
growth
layer
epitaxy
substrate
doping
rate
films
wafer
oxide
device
layers
deposition
buried
melt
defects
wafers
diffusion
devices
thickness
density
electron
phys
crystal
sapphire
incorporation
surfaces
μπι
figure
appl
profile
temperature
carrier
partial
solid
bulk
gate
cooling
electrochem
function
nucleation
soc
flux
increase
obtained
baliga
technology
grid
Έτος:
1986
Γλώσσα:
english
Αρχείο:
PDF, 8.11 MB
Οι ετικέτες (tags) σας:
0
/
0
english, 1986
1
Ακολουθήστε
αυτόν τον σύνδεσμο
ή αναζητήστε το bot "@BotFather" στο Telegram
2
Στείλτε την εντολή /newbot
3
Εισάγετε ένα όνομα για το chatbot σας
4
Εισάγετε ένα όνομα χρήστη για το bot
5
Αντιγράψτε το τελευταίο μήνυμα από τον BotFather και επικολλήστε το εδώ
×
×